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7公升精簡體積,全固態電容

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  • Intel G2130
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華碩延選採納高價【日系固態電容】體系壽命更久長、更不亂

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》優點
1、杜絕使用中產生爆漿壞機徵象。
電解電容的電介質為液態電解液,液態粒子在高溫下十分活潑,對電容內部發生壓力,它的沸點不是很高,是以可能會泛起爆漿的環境,固態電容採納了高份子電介質,固態粒子在高溫下,不管是粒子澎漲或者是活潑性均較液態電解液低,它的沸點也高達攝氏350度,是以幾近不成能泛起爆漿的 可能性
2、即便永劫間未開機,也平安不亂
另有若是機板在持久未使用的情景下,因液態鋁質電解電容正負極鋁箔,是浸滯在電解液中,化學反響形成的-氫氧化鋁,會造成電極受損,洩露電流增年夜,乃至開機或者通電時形成爆漿徵象, 但若是採納固態電容,就沒有如許的隱患以及傷害了。
3、對分歧溫度的容忍性高
傳統電解電容比力容易受使用情況的溫度以及濕度影響,在凹凸溫不亂性方面稍差。即便是在零下攝氏55度至105度,固態電容的ESR電阻抗可以到達在0.1~0.3歐母,但電解電容則會因溫度而扭轉。也就是說固態電容對溫度的敏感性不是很高,而電解電容比力容易受溫度影響。
》華碩堅持使用"日系 "固態電解電容
電解、固態電容都有台系、日系多款品牌可選擇廠商為了本錢的斟酌,常常必要在日系或者台系電容間作抉擇。一般來講,日製電容的質量要求較為嚴酷,是以耐壓性與不亂性都較佳,固然代價也比台製電容昂揚。華碩用料其實,要求嚴謹,率先在桌上型電腦採納代價最高,規格最高的日系固態電容,讓體系壽命更久長更不亂.

DDR3 影像體,擁有新一代更快的影像體速率

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DDR3是繼DDR2和更早的 DDR影像體技能之後的新一代產物,該產物將衝破千兆赫速率的局限性,將影像體速率晉陞到一個史無前例的水準。 DDR3被JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council;美國電子工程設計成長聯合協會)界說為業界尺度技能。DDR3影像體的特色是更快的速率、更高的資料頻寬、更低的事情電壓以及功耗,和更好的散熱機能。DDR3影像體設計的目的是聲援必要更高資料頻寬的新一代四焦點處置器,使其機能更超卓。DDR3-1333也就是PC3-10664,總資料傳輸率到達10.664 GB/秒。自從桌上型PC起頭將影像體以雙通道的方法運作,影像體的有用總頻寬就變為兩倍:既然合適JEDEC尺度, 是以 DDR3 經由1.5V電壓運作,並屬於240Pin腳設計,能進一步激起出影像體效能,將體系總體體現推升至更高地步。而在不異的事情頻率前提下,與1.8V之 DDR2相比,DDR2藉由1.8V低電壓之助,能有用削減約30%耗電。

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